fredag 3. juni 2011

Phase Change Memory Points To Future av bagasje

Interessante nyheter på url:http://rss.slashdot.org/~r/Slashdot/slashdot/~3/qiJGi-htcZg/Phase-Change-Memory-Points-To-Future-of-Storage:
En anonym leser skriver "En UC San Diego team er i ferd med å demonstrere en solid state lagringsenhet som det står gir ytelse tusen ganger raskere enn en vanlig harddisk, og inntil sju ganger raskere enn dagens state-of-the-art solid- state-stasjoner. Stasjonen benytter første-av-sitt-slag fase-endring minne, som lagrer data i krystallstrukturen av en metall-legering som kalles en chalcogenide. For å lagre data, de PCM chips bytte legeringen mellom en krystallinsk og amorf stat basert om anvendelsen av varme gjennom elektrisk strøm. For å lese data, chips bruker en mindre strøm til å finne ut hvilken tilstand de er i. chalcogenide "

Les mer i denne historien på Slashdot.


Ingen kommentarer:

Legg inn en kommentar